解決EMI問題的辦法很多，現代的EMI抑制方法包括：利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設計等。本文從最基本的PCB布板出發，討論PCB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設計技巧。電源匯流排在IC的電源引腳附近合理地安置適當容量的電容，可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而，問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應的特性，這使得電容無法在全頻帶上生成干凈地驅動IC輸出所需要的諧波功率。除此之外，電源匯流排上形成的瞬態電壓在去耦路徑的電感兩端會形成電壓降，這些瞬態電壓就是主要的共模EMI干擾源。我們應該怎么解決這些問題?就我們電路板上的IC而言，IC周圍的電源層可以看成是優良的高頻電容器，它可以收集為干凈輸出提供高頻能量的分立電容器所泄漏的那部份能量。此外，優良的電源層的電感要小，從而電感所合成的瞬態信號也小，進而降低共模EMI。當然，電源層到IC電源引腳的連線必須盡可能短，因為數位信號的上升沿越來越快，最好是直接連到IC電源引腳所在的焊盤上，這要另外討論。為了控制共模EMI，電源層要有助于去耦和具有足夠低的電感，這個電源層必須是一個設計相當好的電源層的配對。有人可能會問，好到什么程度才算好?問題的答案取決于電源的分層、層間的材料以及工作頻率(即IC上升時間的函數)。通常，電源分層的間距是6mil，夾層是FR4材料，則每平方英寸電源層的等效電容約為75pF。顯然，層間距越小電容越大。

專業SMT貼片大量涉及蝕刻面的質量問題都集中在上板面被蝕刻的部分，而這些問題來自于蝕刻劑所產生的膠狀板結物的影響。專業SMT貼片生產廠對這一點的了解是十分重要的，因膠狀板結物堆積在銅表面上。一方面會影響噴射力，另一方面會阻檔了新鮮蝕刻液的補充，使蝕刻的速度被降低。正因膠狀板結物的形成和堆積，使得基板上下面的圖形的蝕刻程度不同，先進入的基板因堆積尚未形成，蝕刻速度較快， 故容易被徹底地蝕刻或造成過腐蝕，而后進入的基板因堆積已形成，而減慢了蝕刻的速度。蝕刻設備的維護維護蝕刻設備的最關鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結渣會使噴射時產生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻不均勻而使整塊電路板報廢。明顯地，設備的維護就是更換破損件和磨損件，因噴嘴同樣存在著磨損的問題，所以更換時應包括噴嘴。此外，更為關鍵的問題是要保持蝕刻機沒有結渣，因很多時結渣堆積過多會對蝕刻液的化學平衡產生影響。同樣地，如果蝕刻液出現化學不平衡，結渣的情況就會愈加嚴重。蝕刻液突然出現大量結渣時，通常是一個信號，表示溶液的平衡出現了問題，這時應使用較強的鹽酸作適當的清潔或對溶液進行補加。

1. 如果是人工焊接，要養成好的習慣，首先，焊接前要目視檢查一遍PCB板，并用萬用表檢查關鍵電路(特別是電源與地)是否短路;其次，每次焊接完一個芯片就用萬用表測一下電源和地是否短路;此外，焊接時不要亂甩烙鐵，如果把焊錫甩到芯片的焊腳上(特別是表貼元件)，就不容易查到。2. 在計算機上打開PCB圖，點亮短路的網絡，看什么地方離的最近，最容易被連到一塊。特別要注意IC內部短路。3. 發現有短路現象。拿一塊板來割線(特別適合單/雙層板),割線后將每部分功能塊分別通電,一部分一部分排除。4. 使用短路定位分析儀，如：新加坡PROTEQ CB2000短路追蹤儀，香港靈智科技QT50短路追蹤儀，英國POLAR ToneOhm950多層板路短路探測儀等等。5. 如果有BGA芯片，由于所有焊點被芯片覆蓋看不見，而且又是多層板(4層以上)，因此最好在設計時將每個芯片的電源分割開，用磁珠或0歐電阻連接，這樣出現電源與地短路時，斷開磁珠檢測，很容易定位到某一芯片。由于BGA的焊接難度大，如果不是機器自動焊接，稍不注意就會把相鄰的電源與地兩個焊球短路。

如果阻抗變化只發生一次，例如線寬從8mil變到6mil后，一直保持6mil寬度這種情況，要達到突變處信號反射噪聲不超過電壓擺幅的5%這一噪聲預算要求，阻抗變化必須小于10%。這有時很難做到，以 FR4板材上微帶線的情況為例，我們計算一下。如果線寬8mil，線條和參考平面之間的厚度為4mil，特性阻抗為46.5歐姆。線寬變化到6mil后特性阻抗變成54.2歐姆，阻抗變化率達到了20%。反射信號的幅度必然超標。至于對信號造成多大影響，還和信號上升時間和驅動端到反射點處信號的時延有關。但至少這是一個潛在的問題點。幸運的是這時可以通過阻抗匹配端接解決問題。如果阻抗變化發生兩次，例如線寬從8mil變到6mil后，拉出2cm后又變回8mil。那么在2cm長6mil寬線條的兩個端點處都會發生反射，一次是阻抗變大，發生正反射，接著阻抗變小，發生負反射。如果兩次反射間隔時間足夠短，兩次反射就有可能相互抵消，從而減小影響。假設傳輸信號為1V，第Y次正反射有0.2V被反射，1.2V繼續向前傳輸，第二次反射有 -0.2*1.2 = 0.24v被反射回。再假設6mil線長度極短，兩次反射幾乎同時發生，那么總的反射電壓只有0.04V，小于5%這一噪聲預算要求。因此，這種反射是否影響信號，有多大影響，和阻抗變化處的時延以及信號上升時間有關。研究及實驗表明，只要阻抗變化處的時延小于信號上升時間的20%，反射信號就不會造成問題。如果信號上升時間為1ns，那么阻抗變化處的時延小于0.2ns對應1.2英寸，反射就不會產生問題。也就是說，對于本例情況，6mil寬走線的長度只要小于3cm就不會有問題。

尤其在使用高速數據網絡時，攔截大量信息所需要的時間顯著低于攔截低速數據傳輸所需要的時間。數據雙絞線中的絞合線對在低頻下可以靠自身的絞合來抵抗外來干擾及線對之間的串音，但在高頻情況下(尤其在頻率超過250MHz以上時)，僅靠線對絞合已無法達到抗干擾的目的，只有屏蔽才能夠抵抗外界干擾。電纜屏蔽層的作用就像一個法拉第護罩，干擾信號會進入到屏蔽層里，但卻進入不到導體中。因此，數據傳輸可以無故障運行。由于屏蔽電纜比非屏蔽電纜具有較低的輻射散發，因而防止了網絡傳輸被攔截。屏蔽網絡(屏蔽的電纜及元器件)能夠顯著減小進入到周圍環境中而可能被攔截的電磁能輻射等級。不同干擾場的屏蔽選擇干擾場主要有電磁干擾及射頻干擾兩種。電磁干擾(EMI)主要是低頻干擾，馬達、熒光燈以及電源線是通常的電磁干擾源。射頻干擾(RFI)是指無線頻率干擾，主要是高頻干擾。無線電、電視轉播、雷達及其他無線通訊是通常的射頻干擾源。對于抵抗電磁干擾，選擇編織屏蔽最為有效，因其具有較低的臨界電阻;對于射頻干擾,箔層屏蔽最有效,因編織屏蔽依賴于波長的變化，它所產生的縫隙使得高頻信號可自由進出導體;而對于高低頻混合的干擾場，則要采用具有寬帶覆蓋功能的箔層加編織網的組合屏蔽方式。通常，網狀屏蔽覆蓋率越高，屏蔽效果就越好。