一、PCB沉金采用的是化學沉積的方法，通過化學氧化還原反應的方法生成一層鍍層，一般厚度較厚，是化學鎳金金層沉積方法的一種，可以達到較厚的金層。二、PCB鍍金采用的是電解的原理，也叫電鍍方式。其他金屬表面處理也多數(shù)采用的是電鍍方式。在實際產(chǎn)品應用中，90%的金板是沉金板，因為鍍金板焊接性差是他的致命缺點，也是導致很多公司放棄鍍金工藝的直接原因!沉金工藝在印制線路表面上沉積顏色穩(wěn)定，光亮度好，鍍層平整，可焊性良好的鎳金鍍層。基本可分為四個階段：前處理(除油，微蝕，活化、后浸)，沉鎳，沉金，后處理(廢金水洗，DI水洗，烘干)。沉金厚度在0.025-0.1um間。金應用于電路板表面處理，因為金的導電性強，抗氧化性好，壽命長，而鍍金板與沉金板最根本的區(qū)別在于，鍍金是硬金(耐磨)，沉金是軟金(不耐磨)。1、沉金與鍍金所形成的晶體結構不一樣，沉金對于金的厚度比鍍金要厚很多，沉金會呈金黃色，較鍍金來說更黃(這是區(qū)分鍍金和沉金的方法之一)，鍍金的會稍微發(fā)白(鎳的顏色)。2、沉金與鍍金所形成的晶體結構不一樣，沉金相對鍍金來說更容易焊接，不會造成焊接不良。沉金板的應力更易控制，對有邦定的產(chǎn)品而言，更有利于邦定的加工。同時也正因為沉金比鍍金軟，所以沉金板做金手指不耐磨(沉金板的缺點)。3、PCB沉金板只有焊盤上有鎳金，趨膚效應中信號的傳輸是在銅層不會對信號有影響。4、沉金較鍍金來說晶體結構更致密，不易產(chǎn)成氧化。5、隨著電路板加工精度要求越來越高，線寬、間距已經(jīng)到了0.1mm以下。鍍金則容易產(chǎn)生金絲短路。沉金板只有焊盤上有鎳金，所以不容易產(chǎn)成金絲短路。6、沉金板只有焊盤上有鎳金，所以線路上的阻焊與銅層的結合更牢固。工程在作補償時不會對間距產(chǎn)生影響。7、對于要求較高的板子，平整度要求要好，一般就采用沉金，沉金一般不會出現(xiàn)組裝后的黑墊現(xiàn)象。沉金板的平整性與使用壽命較鍍金板要好。所以目前大多數(shù)工廠都采用了沉金工藝生產(chǎn)金板。但是沉金工藝比鍍金工藝成本更貴(含金量更高)，所以依然還有大量的低價產(chǎn)品使用鍍金工藝。

產(chǎn)生網(wǎng)絡表：網(wǎng)絡表是電路原理圖設計(SCH)與印制電路板設計(PCB)之間的一座橋梁，它是電路板自動的靈魂。網(wǎng)絡表可以從電路原理圖中獲得，也可從印制電路板中提取出來。(3)印制電路板的設計：印制電路板的設計主要是針對PROTEL99的另外一個重要的部分PCB而言的，在這個過程中，我們借助PROTEL99提供的強大功能實現(xiàn)電路板的版面設計，完成高難度的等工作。但在實踐中，具體主要以下面細分步驟為主：一、電路版設計的先期工作1、利用原理圖設計工具繪制原理圖，并且生成對應的網(wǎng)絡表。當然，有些特殊情況下，如電路版比較簡單，已經(jīng)有了網(wǎng)絡表等情況下也可以不進行原理圖的設計，直接進入PCB設計系統(tǒng)，在PCB設計系統(tǒng)中，可以直接取用零件封裝，人工生成網(wǎng)絡表。2、手工更改網(wǎng)絡表將一些元件的固定用腳等原理圖上沒有的焊盤定義到與它相通的網(wǎng)絡上，沒任何物理連接的可定義到地或保護地等。將一些原理圖和PCB封裝庫中引腳名稱不一致的器件引腳名稱改成和PCB封裝庫中的一致，特別是二、三極管等。二、畫出自己定義的非標準器件的封裝庫建議將自己所畫的器件都放入一個自己建立的PCB庫專用設計文件。三、設置PCB設計環(huán)境和繪制印刷電路的版框含中間的鏤空等1、進入PCB系統(tǒng)后的第Y步就是設置PCB設計環(huán)境，包括設置格點大小和類型，光標類型，版層參數(shù)，布線參數(shù)等等。大多數(shù)參數(shù)都可以用系統(tǒng)默認值，而且這些參數(shù)經(jīng)過設置之后，符合個人的習慣，以后無須再去修改。2、規(guī)劃電路版，主要是確定電路版的邊框，包括電路版的尺寸大小等等。在需要放置固定孔的地方放上適當大小的焊盤。對于3mm的螺絲可用6.5~8mm的外徑和3.2~3.5mm內徑的焊盤對于標準板可從其它板或PCBizard中調入。注意-在繪制電路版地邊框前，一定要將當前層設置成KeepOut層，即禁止布線層。四、打開所有要用到的PCB庫文件后，調入網(wǎng)絡表文件和修改零件封裝這一步是非常重要的一個環(huán)節(jié)，網(wǎng)絡表是PCB自動布線的靈魂，也是原理圖設計與印象電路版設計的接口，只有將網(wǎng)絡表裝入后，才能進行電路版的布線。在原理圖設計的過程中，ERC檢查不會涉及到零件的封裝問題。因此，原理圖設計時，零件的封裝可能被遺忘，在引進網(wǎng)絡表時可以根據(jù)設計情況來修改或補充零件的封裝。當然，可以直接在PCB內人工生成網(wǎng)絡表，并且指定零件封裝。

專業(yè)SMT貼片PCB布局規(guī)則1、在通常情況下，所有的元件均應布置在電路板的同一面上，只有頂層元件過密時，SMT貼片生產(chǎn)廠才能將一些高度有限并且發(fā)熱量小的器件，如貼片電阻、貼片電容、貼片IC等放在底層。2、在保證電氣性能的前提下，元件應放置在柵格上且相互平行或垂直排列，以求整齊、美觀，在一般情況下不允許元件重疊;元件排列要緊湊，元件在整個版面上應分布均勻、疏密一致。3、電路板上不同組件相臨焊盤圖形之間的最小間距應在1MM以上。4、離電路板邊緣一般不小于2MM.電路板的最佳形狀為矩形，長寬比為3:2或4:3.電路板面尺大于200MM乘150MM時，應考慮電路板所能承受的機械強度。PCB設計設置技巧PCB設計在不同階段需要進行不同的各點設置，在布局階段可以采用大格點進行器件布局;對于IC、非定位接插件等大器件，可以選用50~100mil的格點精度進行布局，而對于電阻電容和電感等無源小器件，可采用25mil的格點進行布局。大格點的精度有利于器件的對齊和布局的美觀。PCB設計布局技巧在PCB的布局設計中要分析電路板的單元，依據(jù)起功能進行布局設計，對電路的全部元器件進行布局時，要符合以下原則：1、按照電路的流程安排各個功能電路單元的位置，使布局便于信號流通，并使信號盡可能保持一致的方向。2、以每個功能單元的核心元器件為中心，圍繞他來進行布局。元器件應均勻、整體、緊湊的排列在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接。3、在高頻下工作的電路，要考慮元器件之間的分布參數(shù)。一般電路應盡可能使元器件并行排列，這樣不但美觀，而且裝旱容易，易于批量生產(chǎn)。

pcn設計問題集第Y部分從pcb如何選材到運用等一系列問題進行總結。1、如何選擇PCB板材?選擇PCB板材必須在滿足設計需求和可量產(chǎn)性及成本中間取得平衡點。設計需求包含電氣和機構這兩部分。通常在設計非常高速的PCB板子(大于GHz的頻率)時這材質問題會比較重要。例如，現(xiàn)在常用的FR-4材質，在幾個GHz的頻率時的介質損耗(dielectric loss)會對信號衰減有很大的影響，可能就不合用。就電氣而言，要注意介電常數(shù)(dielectric constant)和介質損在所設計的頻率是否合用。2、如何避免高頻干擾?避免高頻干擾的基本思路是盡量降低高頻信號電磁場的干擾，也就是所謂的串擾(Crosstalk)。可用拉大高速信號和模擬信號之間的距離，或加ground guard/shunt traces在模擬信號旁邊。還要注意數(shù)字地對模擬地的噪聲干擾。3、在高速設計中，如何解決信號的完整性問題?信號完整性基本上是阻抗匹配的問題。而影響阻抗匹配的因素有信號源的架構和輸出阻抗(output impedance)，走線的特性阻抗，負載端的特性，走線的拓樸(topology)架構等。解決的方式是靠端接(termination)與調整走線的拓樸。

隨著PCB設計復雜度的逐步提高，對于信號完整性的分析除了反射，串擾以及EMI之外，穩(wěn)定可靠的電源供應也成為設計者們重點研究的方向之一。尤其當開關器件數(shù)目不斷增加，核心電壓不斷減小的時候，電源的波動往往會給系統(tǒng)帶來致命的影響，于是人們提出了新的名詞：電源完整性，簡稱PI(powerintegrity)。當今國際市場上，IC設計比較發(fā)達，但電源完整性設計還是一個薄弱的環(huán)節(jié)。因此本文提出了PCB板中電源完整性問題的產(chǎn)生，分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優(yōu)化方法與經(jīng)驗設計，具有較強的理論分析與實際工程應用價值。二、電源噪聲的起因及分析對于電源噪聲的起因我們通過一個與非門電路圖進行分析。圖1中的電路圖為一個三輸入與非門的結構圖，因為與非門屬于數(shù)字器件，它是通過“1”和“0”電平的切換來工作的。隨著IC技術的不斷提高，數(shù)字器件的切換速度也越來越快，這就引進了更多的高頻分量，同時回路中的電感在高頻下就很容易引起電源波動。如在圖1中，當與非門輸入全為高電平時，電路中的三極管導通，電路瞬間短路，電源向電容充電，同時流入地線。此時由于電源線和地線上存在寄生電感，我們由公式V=LdI/dt可知，這將在電源線和地線上產(chǎn)生電壓波動，如圖2中所示的電平上升沿所引入的ΔI噪聲。當與非門輸入為低電平時，此時電容放電，將在地線上產(chǎn)生較大的ΔI噪聲;而電源此時只有電路的瞬間短路所引起的電流突變，由于不存在向電容充電而使電流突變相對于上升沿來說要小。從對與非門的電路進行分析我們知道，造成電源不穩(wěn)定的根源主要在于兩個方面：一是器件高速開關狀態(tài)下，瞬態(tài)的交變電流過大;