如果阻抗變化只發生一次，例如線寬從8mil變到6mil后，一直保持6mil寬度這種情況，要達到突變處信號反射噪聲不超過電壓擺幅的5%這一噪聲預算要求，阻抗變化必須小于10%。這有時很難做到，以 FR4板材上微帶線的情況為例，我們計算一下。如果線寬8mil，線條和參考平面之間的厚度為4mil，特性阻抗為46.5歐姆。線寬變化到6mil后特性阻抗變成54.2歐姆，阻抗變化率達到了20%。反射信號的幅度必然超標。至于對信號造成多大影響，還和信號上升時間和驅動端到反射點處信號的時延有關。但至少這是一個潛在的問題點。幸運的是這時可以通過阻抗匹配端接解決問題。如果阻抗變化發生兩次，例如線寬從8mil變到6mil后，拉出2cm后又變回8mil。那么在2cm長6mil寬線條的兩個端點處都會發生反射，一次是阻抗變大，發生正反射，接著阻抗變小，發生負反射。如果兩次反射間隔時間足夠短，兩次反射就有可能相互抵消，從而減小影響。假設傳輸信號為1V，第Y次正反射有0.2V被反射，1.2V繼續向前傳輸，第二次反射有 -0.2*1.2 = 0.24v被反射回。再假設6mil線長度極短，兩次反射幾乎同時發生，那么總的反射電壓只有0.04V，小于5%這一噪聲預算要求。因此，這種反射是否影響信號，有多大影響，和阻抗變化處的時延以及信號上升時間有關。研究及實驗表明，只要阻抗變化處的時延小于信號上升時間的20%，反射信號就不會造成問題。如果信號上升時間為1ns，那么阻抗變化處的時延小于0.2ns對應1.2英寸，反射就不會產生問題。也就是說，對于本例情況，6mil寬走線的長度只要小于3cm就不會有問題。

相信對做硬件的工程師，畢業開始進公司時，在設計PCB時，老工程師都會對他說，PCB走線不要走直角，走線一定要短，電容一定要就近擺放等等。但是一開始我們可能都不了解為什么這樣做，就憑他們的幾句經驗對我們來說是遠遠不夠的哦，當然如果你沒有注意這些細節問題，今后又犯了，可能又會被他們罵，“都說了多少遍了電容一定要就近擺放，放遠了起不到效果等等”，往往經驗告訴我們其實那些老工程師也是只有一部分人才真正掌握其中的奧妙，我們一開始不會也不用難過，多看看資料很快就能掌握的。直到被罵好幾次后我們回去找相關資料，為什么設計PCB電容要就近擺放呢，等看了資料后就能了解一些，可是網上的資料很雜散，很少能找到一個很全方面講解的。下面這些內容是我轉載的一篇關于電容去耦半徑的講解，相信你看了之后可以很牛x的回答和避免類似問題的發生。老師問： 為什么去耦電容就近擺放呢?學生答： 因為它有有效半徑哦，放的遠了失效的。電容去耦的一個重要問題是電容的去耦半徑。大多數資料中都會提到電容擺放要盡量靠近芯片，多數資料都是從減小回路電感的角度來談這個擺放距離問題。確實，減小電感是一個重要原因，但是還有一個重要的原因大多數資料都沒有提及，那就是電容去耦半徑問題。如果電容擺放離芯片過遠，超出了它的去耦半徑，電容將失去它的去耦的作用。理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補償電流之間的相位關系。當芯片對電流的需求發生變化時，會在電源平面的一個很小的局部區域內產生電壓擾動，電容要補償這一電流(或電壓)，就必須先感知到這個電壓擾動。信號在介質中傳播需要一定的時間，因此從發生局部電壓擾動到電容感知到這一擾動之間有一個時間延遲。同樣，電容的補償電流到達擾動區也需要一個延遲。因此必然造成噪聲源和電容補償電流之間的相位上的不一致。

1.開料目的：根據工程資料MI的要求，在符合要求的大張板材上，裁切成小塊生產板件.符合客戶要求的小塊板料.流程：大板料→按MI要求切板→鋦板→啤圓角磨邊→出板鉆孔目的：根據工程資料，在所開符合要求尺寸的板料上，相應的位置鉆出所求的孔徑.流程：疊板銷釘→上板→鉆孔→下板→檢查修理沉銅目的：沉銅是利用化學方法在絕緣孔壁上沉積上一層薄銅.流程：粗磨→掛板→沉銅自動線→下板→浸%稀H2SO4→加厚銅圖形轉移目的：圖形轉移是生產菲林上的圖像轉移到板上。流程：(藍油流程)：磨板→印第Y面→烘干→印第二面→烘干→爆光→沖影→檢查;(干膜流程)：麻板→壓膜→靜置→對位→曝光→靜置→沖影→檢查圖形電鍍目的：圖形電鍍是在線路圖形裸露的銅皮上或孔壁上電鍍一層達到要求厚度的銅層與要求厚度的金鎳或錫層。流程：上板→除油→水洗二次→微蝕→水洗→酸洗→鍍銅→水洗→浸酸→鍍錫→水洗→下板退膜目的：用NaOH溶液退去抗電鍍覆蓋膜層使非線路銅層裸露出來。流程：水膜：插架→浸堿→沖洗→擦洗→過機;干膜：放板→過機蝕刻目的：蝕刻是利用化學反應法將非線路部位的銅層腐蝕去。綠油目的：綠油是將綠油菲林的圖形轉移到板上，起到保護線路和阻止焊接零件時線路上錫的作用。流程：磨板→印感光綠油→鋦板→曝光→沖影;磨板→印第Y面→烘板→印第二面→烘板字符目的：字符是提供的一種便于辯認的標記。流程：綠油終鋦后→冷卻靜置→調網→印字符→后鋦鍍金手指目的：在插頭手指上鍍上一層要求厚度的鎳金層，使之更具有硬度的耐磨性。流程：上板→除油→水洗兩次→微蝕→水洗兩次→酸洗→鍍銅→水洗→鍍鎳→水洗→鍍金鍍錫板 (并列的一種工藝)目的：噴錫是在未覆蓋阻焊油的裸露銅面上噴上一層鉛錫，以保護銅面不蝕氧化，以保證具有良好的焊接性能.流程：微蝕→風干→預熱→松香涂覆→焊錫涂覆→熱風平整→風冷→洗滌風干成型目的：通過模具沖壓或數控鑼機鑼出客戶所需要的形狀成型的方法有機鑼，啤板，手鑼，手切說明：數據鑼機板與啤板的精確度較高，手鑼其次，手切板最低具只能做一些簡單的外形.測試目的：通過電子00%測試，檢測目視不易發現到的開路，短路等影響功能性之缺陷.流程：上模→放板→測試→合格→FQC目檢→不合格→修理→返測試→OK→REJ→報廢終檢目的：通過00%目檢板件外觀缺陷，并對輕微缺陷進行修理，避免有問題及缺陷板件流出.具體工作流程：來料→查看資料→目檢→合格→FQA抽查→合格→包裝→不合格→處理→檢查OKa

在高速設計中，可控阻抗板和線路的特性阻抗問題困擾著許多中國工程師。本文通過簡單而且直觀的方法介紹了特性阻抗的基本性質、計算和測量方法。在高速設計中，可控阻抗板和線路的特性阻抗是最重要和最普遍的問題之一。首先了解一下傳輸線的定義：傳輸線由兩個具有一定長度的導體組成，一個導體用來發送信號，另一個用來接收信號(切記“回路”取代“地”的概念)。在一個多層板中，每一條線路都是傳輸線的組成部分，鄰近的參考平面可作為第二條線路或回路。一條線路成為“性能良好”傳輸線的關鍵是使它的特性阻抗在整個線路中保持恒定。線路板成為“可控阻抗板”的關鍵是使所有線路的特性阻抗滿足一個規定值，通常在25歐姆和70歐姆之間。在多層線路板中，傳輸線性能良好的關鍵是使它的特性阻抗在整條線路中保持恒定。但是，究竟什么是特性阻抗?理解特性阻抗最簡單的方法是看信號在傳輸中碰到了什么。當沿著一條具有同樣橫截面傳輸線移動時，這類似圖1所示的微波傳輸。假定把1伏特的電壓階梯波加到這條傳輸線中，如把1伏特的電池連接到傳輸線的前端(它位于發送線路和回路之間)，一旦連接，這個電壓波信號沿著該線以光速傳播，它的速度通常約為6英寸/納秒。當然，這個信號確實是發送線路和回路之間的電壓差，它可以從發送線路的任何一點和回路的相臨點來衡量。圖2是該電壓信號的傳輸示意圖。Zen的方法是先“產生信號”，然后沿著這條傳輸線以6英寸/納秒的速度傳播。第Y個0.01納秒前進了0.06英寸，這時發送線路有多余的正電荷，而回路有多余的負電荷，正是這兩種電荷差維持著這兩個導體之間的1伏電壓差，而這兩個導體又組成了一個電容器。在下一個0.01納秒中，又要將一段0.06英寸傳輸線的電壓從0調整到1伏特，這必須加一些正電荷到發送線路，而加一些負電荷到接收線路。每移動0.06英寸，必須把更多的正電荷加到發送線路，而把更多的負電荷加到回路。每隔0.01納秒，必須對傳輸線路的另外一段進行充電，然后信號開始沿著這一段傳播。電荷來自傳輸線前端的電池，當沿著這條線移動時，就給傳輸線的連續部分充電，因而在發送線路和回路之間形成了1伏特的電壓差。每前進0.01納秒，就從電池中獲得一些電荷(±Q)，恒定的時間間隔(±t)內從電池中流出的恒定電量(±Q)就是一種恒定電流。流入回路的負電流實際上與流出的正電流相等，而且正好在信號波的前端，交流電流通過上、下線路組成的電容，結束整個循環過程。

河南開發FPC軟板隨著PCB設計復雜度的逐步提高，對于信號完整性的分析除了反射，串擾以及EMI之外，開發FPC軟板穩定可靠的電源供應也成為設計者們重點研究的方向之一。尤其當開關器件數目不斷增加，核心電壓不斷減小的時候，電源的波動往往會給系統帶來致命的影響，于是人們提出了新的名詞：電源完整性，簡稱PI(powerintegrity)。當今國際市場上，IC設計比較發達，但電源完整性設計還是一個薄弱的環節。因此本文提出了PCB板中電源完整性問題的產生，分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優化方法與經驗設計，具有較強的理論分析與實際工程應用價值。二、電源噪聲的起因及分析對于電源噪聲的起因我們通過一個與非門電路圖進行分析。圖1中的電路圖為一個三輸入與非門的結構圖，因為與非門屬于數字器件，它是通過“1”和“0”電平的切換來工作的。隨著IC技術的不斷提高，數字器件的切換速度也越來越快，這就引進了更多的高頻分量，同時回路中的電感在高頻下就很容易引起電源波動。如在圖1中，當與非門輸入全為高電平時，電路中的三極管導通，電路瞬間短路，電源向電容充電，同時流入地線。此時由于電源線和地線上存在寄生電感，我們由公式V=LdI/dt可知，這將在電源線和地線上產生電壓波動，如圖2中所示的電平上升沿所引入的ΔI噪聲。當與非門輸入為低電平時，此時電容放電，將在地線上產生較大的ΔI噪聲;而電源此時只有電路的瞬間短路所引起的電流突變，由于不存在向電容充電而使電流突變相對于上升沿來說要小。從對與非門的電路進行分析我們知道，造成電源不穩定的根源主要在于兩個方面：一是器件高速開關狀態下，瞬態的交變電流過大;